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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
200 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

2N3904BU

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

200 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

40 V

VCE Sättigung (max.)

300 mV

Leistung (max) P(TOT)

625 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

10 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

1 V

Transitfrequenz f(T)

300 MHz

Montageart

Durchführungsloch

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 163350 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 163350 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

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