Abbildung ähnlich
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
16 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
140 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
2N3773
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
16 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
140 V
- VCE Sättigung (max.)
1.4 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
10 mA
- Leistung (max) P(TOT)
150 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
15
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
8 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 163520 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 163520 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3773 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
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