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Ein schwarzer Halbleiterbaustein mit drei metallischen Anschlüssen. Möglicherweise ein Transistor, eingesetzt in elektronischen Schaltungen.

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ON Semiconductor

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-126-3

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1.5 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

60 V

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Bipolar-Standard-Leistungstransistor

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Technische Daten

Typ: BD13716STU

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-126-3

Hersteller: ON Semiconductor

Herst.-Abk.: OnS

Kanäle: 1

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 1.5 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 60 V

VCE Sättigung (max.): 500 mV

Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA

Leistung (max) P(TOT): 1.25 W

DC Stromverstärkung (hFE): 100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V

Montageart: Durchführungsloch

Inhalt: 1 St.

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Datenblatt

Datenblatt 151036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13716STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13716STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Hinweise

Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Beschreibung

Hinweise

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