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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-200 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-40 V
Datenblatt (PDF)
5392 Stück
Anzahl
Min.: 30
Gesamt (CHF 0.06 / Stück)
CHF 1.80
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
2N3906BU
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-200 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-40 V
- VCE Sättigung (max.)
-400 mV
- Leistung (max) P(TOT)
625 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-10 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-1 V
- Transitfrequenz f(T)
250 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 163376 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 163376 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP