Infineon Technologies IRFS7530-7PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 375 W D2PAK
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
0.0014 Ω
Datenblatt (PDF)
910 Stück
Anzahl
Min.: 10
Vielfache: 10
Gesamt (CHF 3.35 / Stück)
CHF 33.50
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRFS7530-7PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
240 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
0.0014 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026289 Infineon Technologies IRFS7530-7PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 375 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026289 Infineon Technologies IRFS7530-7PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 375 W D2PAK
Beschreibung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 IRFS7530TRL7PP N-Kanal-Transistoren SMD
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