Abbildung ähnlich
Diotec DI050P02PT MOSFET P-Kanal 35.7 W PowerQFN 3x3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
PowerQFN 3x3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
35.7 W
R(DS)(on) Referenz-Strom
-15 A
Datenblatt (PDF)
Anzahl
Min.: 5000
Vielfache: 5000
Gesamt (CHF 0.44 / Stück)
CHF 2'194.15
inkl. MwSt.
Kostenfreier Versand
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 3x3, -20V, -50A, 150°C, P
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 3x3
- Drain-Source-Spannung - VDS: -20 V
- Drainstrom - ID: -50.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: P
- Verlustleistung - Ptot: 35.700 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: -180.000 A
- Schwellspannung - VGSth: -1.0 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0100 Ω
- ID: -15 A
- VGS: -10 V
- Einschaltzeit - ton: 95 ns
- Ausschaltzeit - toff: 46 ns
- Typ
DI050P02PT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 3x3
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-50 A
- Leistung (max) P(TOT)
35.7 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-15 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
-10 V
- U(GS)(th) max.
-1.0 V
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
-20 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809587 Diotec DI050P02PT MOSFET P-Kanal 35.7 W PowerQFN 3x3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809587 Diotec DI050P02PT MOSFET P-Kanal 35.7 W PowerQFN 3x3
Häufig gesuchte MOSFETS:
Zubehör
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden
Conrad Electronic
CHF 0.55*
Weitere interessante Produkte
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
-27%
Conrad Electronic
CHF 3.00
CHF 2.20*
![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/de/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-mosfet-igbt-set.jpg?x=130&y=130&format=webp&ex=130&ey=130&align=center)