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Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150°C, P
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 3x3
- Drain-Source-Spannung - VDS: -40 V
- Drainstrom - ID: -40.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: P
- Verlustleistung - Ptot: 22.700 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: -160.000 A
- Schwellspannung - VGSth: -1.7 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0150 Ω
- ID: -10 A
- VGS: -10 V
- Einschaltzeit - ton: 19 ns
- Ausschaltzeit - toff: 26 ns
- Typ
DI040P04PT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 3x3
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-40 A
- U
-40 V
- Leistung (max) P(TOT)
22.7 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-10 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
-10 V
- U(GS)(th) max.
-1.7 V
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
-40 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809573 Diotec DI040P04PT MOSFET P-Kanal 22.7 W PowerQFN 3x3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809573 Diotec DI040P04PT MOSFET P-Kanal 22.7 W PowerQFN 3x3
Häufig gesuchte MOSFETS:
Zubehör
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden































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