
Anzahl
Min.: 5000
Vielfache: 5000
Gesamt (CHF 0.33 / Stück)
CHF 1'669.95
inkl. MwSt.
Kostenfreier Versand
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150°C, P
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 3x3
- Drain-Source-Spannung - VDS: -60 V
- Drainstrom - ID: -20.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: P
- Verlustleistung - Ptot: 29.700 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: -70.000 A
- Schwellspannung - VGSth: -2.5 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0450 Ω
- ID: -10 A
- VGS: -10 V
- Einschaltzeit - ton: 29 ns
- Ausschaltzeit - toff: 29 ns
- Typ
DI020P06PT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 3x3
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-20 A
- U
-60 V
- Leistung (max) P(TOT)
29.7 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-10 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
-10 V
- U(GS)(th) max.
-2.5 V
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
-60 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809556 Diotec DI020P06PT MOSFET P-Kanal 29.7 W PowerQFN 3x3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809556 Diotec DI020P06PT MOSFET P-Kanal 29.7 W PowerQFN 3x3
Häufig gesuchte MOSFETS:
Zubehör
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden





























![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/de/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-mosfet-igbt-set.jpg?x=130&y=130&format=webp&ex=130&ey=130&align=center)