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Samsung 990 EVO Plus 4 TB SSD interne NVMe/PCIe M.2 M.2 NVMe PCIe 4.0 x4, M.2 NVMe PCIe 5.0 x2 au détail MZ-V9S4T0BW
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SSD Samsung 990 EVO plus NVMe TM M.2 4 To
Points forts & détails
- Adapté pour les PC puissants, les ordinateurs portables fins et les consoles de jeux
- Compatible avec PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.0 x2
- Rapide : vitesses de lecture et d'écriture séquentielles jusqu'à 7 250 / 6 300 Mo/s.
- Efficacité : puissance améliorée de 73% par watt par rapport à l'EVO 990
- Constante : gestion de la température intelligente pour une performance toujours élevée
Caractéristiques techniques
- Poids et dimensions
- Largeur : 80,2 mm
- Profondeur : 2,38 mm
- Hauteur : 80,2 mm
- Poids : 9 g
- Puissance
- Tension de fonctionnement : 3,3 V
- Consommation électrique (Lecture) : 5,5 W
- Consommation électrique (Ecriture) : 4,8 W
- Consommation électrique (idle) : 0,06 W
- Consommation électrique DevSlp (mode veille) : 5 mW
- Conditions environnementales
- Température d'opération : 0 - 70 °C
- Choc durant le fonctionnement : 1500 G
- Informations sur l'emballage
- Largeur du colis : 148 mm
- Profondeur du colis : 100 mm
- Hauteur du colis : 22 mm
- Poids du paquet : 70 g
- Caractéristiques
- Capacité du Solid State Drive (SSD) : 4 To
- Facteur de forme SSD : M.2
- Interface : PCI Express 4.0
- NVMe : Oui
- Type de mémoire : V-NAND TLC
- composant pour : PC
- Le chiffrement matériel : Oui
- Version NVMe : 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu : 256-bit AES
- Taille du SSD M.2 : 2280 (22 x 80 mm)
- Vitesse de lecture : 7250 Mo/s
- Vitesse d'écriture : 6300 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB) : 1050000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB) : 1400000 IOPS
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) : Oui
- Support S.M.A.R.T. : Oui
- Support TRIM : Oui
- Temps moyen entre pannes : 1500000 h
- Type de produit
SSD interne NVMe/PCIe M.2
- Série
990 EVO Plus
- Facteur de forme
Module M.2 2280
- Interfaces
M.2 NVMe PCIe 4.0 x4
M.2 NVMe PCIe 5.0 x2
- Capacité de la mémoire
4 TB
- Lecture
7150 Mo/s
- Écriture (max)
6300 Mo/s
- Vitesse de lecture IOPS (max.)
850000 IOPS
- Vitesse d'écriture IOPS (max.)
1350000 IOPS
- Spécificités
NVMe 2.0
V-NAND TLC
compatible S.M.A.R.T.
compatible TRIM
TurboWrite 2.0
- Largeur
80.2 mm
- Hauteur
22.1 mm
- Profondeur
2.38 mm
- Modèle
au détail
- Couleur
multicolore
- Écran (pouces)
0 pouces
- Disposition du clavier
anglais, QWERTY
- Poids
5
- UKCA
oui
Documents & téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3337789 Samsung 990 EVO Plus 4 TB SSD interne NVMe/PCIe M.2 M.2 NVMe PCIe 4.0 x4, M.2 NVMe PCIe 5.0 x2 au détail MZ-V9S4T0BW
Description
Une journée de rasage rapide
Effectuez vos tâches en un tour de main. La 990 EVO plus avec mémoire flash NAND actuelle offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles allant jusqu'à 7.250/6.300 Mo/s. Fichiers volumineux, rapidement convertis.
Avec une puissance de cool au quotidien
Grande efficacité pour des performances élevées. Le contrôleur recouvert de nickel augmente le nombre de Mo/s par watt par rapport à 990 EVO jusqu'à 73% et atteint la même puissance et le même contrôle de la chaleur avec une consommation d'énergie réduite. Concentrez-vous sur votre travail ou vos jeux sans avoir à vous soucier de la surchauffe ou de l'autonomie de la batterie.
Beaucoup d'espace. Beaucoup de vitesse.
Profitez de toutes les performances de votre lecteur avec TurboWrite 2.0 intelligent. Travaillez rapidement de grandes quantités de données et maîtrez les graphiques exigeants avec une grande plage de TurboWrite, désormais disponible avec une capacité de 4 To.
Logiciel Samsung Magician
Gestion moderne des disques comme par magie avec le logiciel Samsung Magician. La solution logicielle facile à utiliser peut vous aider à toujours garder un œil sur votre SSD. Vous pouvez ainsi maintenir votre lecteur à jour avec des mises à jour, surveiller les paramètres d'état et la vitesse et également adapter la puissance.
Il est recommandé de toujours mettre à jour le micrologiciel de vos SSD avec la dernière version.
Donnez vie à la technologie moderne
Depuis des décennies, la mémoire Samsung NAND Flash est un moteur pour les technologies modernes qui ont transformé notre vie quotidienne. La technologie Flash NAND pilote nos SSD et crée de la place pour la prochaine poussée de la technologie moderne.
Puissance
Vitesses de lecture séquentielles jusqu'à 7 250 Mo/s. Jusqu'à 45 % plus rapide que les 990 EVO.
Efficacité énergétique
Jusqu'à 73 % d'efficacité énergétique supérieure par rapport à 990 EVO pour plus de Mo/s par watt avec une puissance constante et un contrôle de la chaleur.
Polyvalence
Grande capacité jusqu'à 4 To et TurboWrite 2.0 intelligent rapide avec une plage de TurboWrite agrandie.
Ce texte a été traduit par une machine.
Modèle
- Garantie : Garantie constructeur