Littelfuse IXA70R1200NA Transistor IGBT SOT-227B 1200 V Tube
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Tube
Type de produit
Transistor IGBT
Boîtier
SOT-227B
Courant du collecteur CI
100 A
Type
IXA70R1200NA
Nombre
Min.: 10
Multiples: 10
Total (CHF 31.41 / pièce(s))
CHF 33.38
-6 %
CHF 314.10
excl. TVA
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Points forts & détails
Transistor IGBT
- Littelfuse IXA70R1200NA
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type de boîtier : SOT-227B (minibloc)
- Tension d'émetteur collecteur Vces (V) : 1200 V.
- Courant du collecteur @ 25 ℃ (A) : 100 A.
- VCE(sat) - émetteur de collecteur de tension de Saturation (V) : 1.8 V.
- Temps de chute [charge inductive] (ns) : 100 ns
- Configuration : Boost
- Résistance thermique [boîtier de raccordement] [IGBT] (K/W) : 0,35 K/W
- Courant collecteur @ 90 ℃ (A) : 65 A.
- Turn-off Energy @ 125 ℃ (MJ) : 5.5 MJ
- Résistance thermique [boîtier de raccordement] [diode] (K/W) : 0,6 K/W
- Courant direct @ 90 ℃ (A) : 51 A.
- Type d'emballage
Tube
- Type
IXA70R1200NA
- Type de produit
Transistor IGBT
- Boîtier
SOT-227B
- Fabricant
Littelfuse
- Abrév. fab.
LIT
- Tension de blocage de l'émetteur du collecteur U(CES)
1200 V
- Courant du collecteur CI
100 A
- Saturation VCE (max.)
1.8 V
- Type
IGBT
Documents & téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 2960605 Littelfuse IXA70R1200NA Transistor IGBT SOT-227B 1200 V Tube