Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 Transistor IGBT TO-252-3 Standard 600 V
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor IGBT
Boîtier
TO-252-3
Courant du collecteur CI
6.5 A
Puissance (max) P(TOT)
53.6 W
Type de montage
montage en saillie
Fiche technique (PDF)
2500 pièce(s)
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Nombre
Min.: 5
Multiples: 5
Total (CHF 0.60 / pièce(s))
CHF 3.00
excl. TVA
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Points forts & détails
Transistor IGBT
- Infineon Technologies
- Contenu: 1 pc(s)
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Caractéristiques techniques
- Type
IKD03N60RFATMA1
- Type de produit
Transistor IGBT
- Boîtier
TO-252-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Tension de blocage de l'émetteur du collecteur U(CES)
600 V
- Courant du collecteur CI
6.5 A
- Puissance (max) P(TOT)
53.6 W
- Type d'entrée
Standard
- Temps de recouvrement inverse T(rr)
31 ns
- Type de montage
montage en saillie
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3028386 Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 Transistor IGBT TO-252-3 Standard 600 V
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3028386 Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 Transistor IGBT TO-252-3 Standard 600 V