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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139-10 SOT-32 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-32
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1.5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
497 Stück
Anzahl
Min.: 10
Gesamt (CHF 0.23 / Stück)
CHF 0.26
-12 %
CHF 2.30
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BD139-10
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-32
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1.5 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
40
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
2 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151089 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD139-10 SOT-32 Anzahl Kanäle 1 NPN
Beschreibung
Hinweise
Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.