Transcend MTE652T-I 256 GB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS256GMTE652T-I
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Datenblatt (PDF)
2 Stück
Anzahl
Gesamt (CHF 307.08 / Stück)
CHF 336.07
-9 %
CHF 307.08
zzgl. MwSt.
Kostenfreier Versand
Nur noch 2 Stück verfügbar
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
Transcend MTE652T-I PCIe M.2 SSDs
- Speicherkapazität: 256 GB
- mit DRAM-Cache
- Ausdauer: 3K P/E-Zyklen (Program/Erase Zyklen) garantiert
- Entwickelt für den Einsatz im industriellen Temperaturbereich (-40℃ bis 85℃)
- PCIe Gen 3 x4 Schnittstelle
- Schlüsselkomponenten sind standardmäßig mit Corner Bond Technologie verstärkt
- erfüllt die PCI Express 3.1 Spezifikationen
- erfüllt die NVM Express 1.3 Spezifikationen
- Unterstützt NVM Command
- SLC Caching-Technologie
- Eingebaute LDPC ECC (Error Correction Code) Funktionalität
- Dynamisch-thermische Drosselung
- erfüllt die RoHS 2.0 Standards
- Unterstützt Transcend SSD Scope Pro Software
Technische Daten
- Produkt-Art
Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280
- Serie
MTE652T-I
- Formfaktor
M.2 Modul 2280
- Schnittstellen
PCIe NVMe 3.0 x4
- Speicherkapazität
256 GB
- Lesen (max.)
2100 MB/s
- Schreiben (max.)
1250 MB/s
- IOPS Lesegeschwindigkeit (max.)
190000 IOPS
- IOPS Schreibgeschwindigkeit (max.)
290000 IOPS
- Breite
22 mm
- Höhe
3.58 mm
- Tiefe
80 mm
- Ausführung
Industrial
- UKCA
Ja
Compliance & Zertifizierungen
Certified by EU Garan
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2302596 Transcend MTE652T-I 256 GB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS256GMTE652T-I
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2302596 Transcend MTE652T-I 256 GB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS256GMTE652T-I
Garantiebedingungen
Garantiebedingungen 2302596 Transcend MTE652T-I 256 GB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 PCIe NVMe 3.0 x4 Industrial TS256GMTE652T-I
Beschreibung
Die MTE652T M.2 SSD von Transcend verfügt über eine PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 Schnittstelle und ist kompatibel mit den NVM Express (NVMe) 1.3 Spezifikationen, um überzeugende Übertragungsgeschwindigkeiten zu erreichen. Die MTE652T verfügt über die neueste 3D NAND Technologie, mit der 96 Schichten von 3D NAND-Flashchips vertikal gestapelt werden können. Im Vergleich zu 3D NAND auf 64 Schichten verbessert diese Dichte-Steigerung die Speichereffizienz erheblich. Die MTE652T ist mit einem DRAM-Cache für schnellen Zugriff ausgestattet und wird im eigenen Haus vollständig getestet, um die Zuverlässigkeit in geschäftskritischen Anwendungen zu gewährleisten. Sie verfügt über eine Belastbarkeit von 3K Programm-/Löschzyklen.