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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE2955T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-60 V
Datenblatt (PDF)
894 Stück
Anzahl
Min.: 5
Gesamt (CHF 0.83 / Stück)
CHF 4.15
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
MJE2955T
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-60 V
- VCE Sättigung (max.)
-8 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-700 µA
- Leistung (max) P(TOT)
75 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
20
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-4 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-4 V
- Transitfrequenz f(T)
2 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 150918 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE2955T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150918 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE2955T TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP