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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD912 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-15 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-100 V
Datenblatt (PDF)
165 Stück
Anzahl
Min.: 2
Gesamt (CHF 1.06 / Stück)
CHF 2.12
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Highlights & Details
Transistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BD912
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-15 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-100 V
- VCE Sättigung (max.)
-3 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
90 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
15
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-5 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-4 V
- Transitfrequenz f(T)
3 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 155430 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD912 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 155430 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD912 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP