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Aktive Bauelemente Halbleiter Transistoren bipolar, IGBTs Transistoren

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei schwarze elektronische Bauteile in rechteckiger Form mit Metallanschlüssen, wahrscheinlich SMD-Dioden, auf weißem Hintergrund.
Abbildung ähnlich
Zwei schwarze elektronische Bauteile in rechteckiger Form mit Metallanschlüssen, wahrscheinlich SMD-Dioden, auf weißem Hintergrund.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
ON Semiconductor
Sofort-Lieferung Mo., 5. Okt.

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Highlights & Details

Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

MMBT2222A

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

40 V

VCE Sättigung (max.)

1 V

Kollektor Reststrom I(CES)

10 nA

Leistung (max) P(TOT)

350 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

100

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

10 V

Transitfrequenz f(T)

300 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

Inhalt

1 St.

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Gehäuse
Collector-Strom I(C)
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
Produkt-Art
Montageart
 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

1262862

 
TO-92-3
200 mA
40 V
625 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

1262866

 
TO-92-3
-200 mA
-40 V
625 mW
PNP
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN

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TO-264
17 A
250 V
150 W
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33716TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33716TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

1262945

 
TO-92-3
800 mA
45 V
625 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33740TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33740TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

1262949

 
TO-92-3
800 mA
45 V
625 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC516_D27Z TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC516_D27Z TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington

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TO-92-3
-1 A
-30 V
625 mW
PNP - Darlington
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546BTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546BTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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TO-92-3
100 mA
65 V
500 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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TO-92-3
100 mA
65 V
500 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547BTF TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547BTF TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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TO-92-3
100 mA
45 V
500 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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TO-92-3
100 mA
45 V
500 mW
NPN
Transistor (BJT) - diskret
Durchführungsloch

Dokumente & Downloads

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Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1264816 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

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