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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
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Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
BD809
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
ON Semiconductor
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
1.1 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
90 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
15
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
4 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
2 V
- Transitfrequenz f(T)
1.5 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN