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Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SO-8
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datenblatt (PDF)
43 Stück
Anzahl
Min.: 5
Gesamt (CHF 0.50 / Stück)
CHF 2.49
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF7103PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SO-8
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- Leistung (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8