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Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR181W SOT-323 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
Gehäuse
SOT-323
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
20 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
12 V
Datenblatt (PDF)
322 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Anzahl
Gesamt (CHF 0.18 / Stück)
CHF 0.25
-28 %
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Highlights & Details
NPN-Breitbandtransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BFR181W
- Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
- Gehäuse
SOT-323
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
20 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
12 V
- Leistung (max) P(TOT)
175 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
70
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
8 V
- Transitfrequenz f(T)
8 GHz
- Rauschzahl F (min.)
0.9 dB
- Rauschzahl F (max.)
1.2 dB
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153228 Infineon Technologies HF-Transistor (BJT) BFR181W SOT-323 Anzahl Kanäle 1 NPN
Beschreibung
NPN-Breitbandtransistor (8 mm-Gurt).