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Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-236-3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
2 Ω
Datenblatt (PDF)
22140 Stück
Anzahl
Min.: 10
Gesamt (CHF 0.22 / Stück)
CHF 2.20
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Highlights & Details
Kleinsignal-Transistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BSS83P
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-236-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
330 mA
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
2 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
330 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
80 µA
- Q(G)
3.57 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
78 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
SIPMOS®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 153047 Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3