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Aktive Bauelemente Halbleiter Feldeffekttransistoren MOSFETS

Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei schwarze elektronische Bauteile mit Metallkontakten, geeignet für Leiterplattenmontage.
Abbildung ähnlich
Zwei schwarze elektronische Bauteile mit Metallkontakten, geeignet für Leiterplattenmontage.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-236-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
14 Ω
Datenblatt (PDF)
English
Infineon Technologies
Sofort-Lieferung Fr., 2. Okt.

2218 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)

Menge (Stück)
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Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
CHF 0.46
21
9% = CHF 0.04
CHF 0.42
35
11% = CHF 0.05
CHF 0.41
70
15% = CHF 0.07
CHF 0.39
140
17% = CHF 0.08
CHF 0.38
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Highlights & Details

Kleinsignal-Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BSS139

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-236-3

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

100 mA

U

250 V

Leistung (max) P(TOT)

360 mW

R(DS)(on)

14 Ω

R(DS)(on) Referenz-Strom

0.1 mA

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

1 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

56 µA

Q(G)

3.5 nC

Q(G) Referenz-Spannung

5 V

C(ISS)

76 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Serie

SIPMOS®

Betriebstemperatur (max.)

+150 °C

Transistor-Merkmal

Deleption Mode

U(DSS)

250 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Gehäuse
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
C(ISS)
 
Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3
Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

152941

 
Dieser Artikel
TO-236-3
0.1 mA
14 Ω
250 V
360 mW
76 pF
Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4
Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4

153163

 
TO-261-4
120 mA
45 Ω
600 V
1.8 W
146 pF
Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4
Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4

153177

 
TO-261-4
660 mA
1.8 Ω
200 V
1.8 W
430 pF

Dokumente & Downloads

Datenblatt

English

Datenblatt 152941 Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 152941 Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

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