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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817BPN SOT-26 NPN, PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-26
Ausführung
NPN
PNP
Collector-Strom I(C)
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
Anzahl
Min.: 750
Gesamt (CHF 0.06 / Stück)
CHF 42.74
inkl. MwSt.
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Highlights & Details
BJT, SOT-26, 45V, 500mA, NPN+PNP
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-26
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
- DC Kollektorstrom - IC: 500 mA
- Polarität - pol: NPN+PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.300 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 280
- VCE: 1 V
- IC: 100 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 90 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 100 MHz
- Typ
BC817BPN
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-26
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
PNP
- Collector-Strom I(C)
500 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
- VCE Sättigung (max.)
700 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.3 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
280
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809202 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817BPN SOT-26 NPN, PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809202 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC817BPN SOT-26 NPN, PNP
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