Abbildung ähnlich
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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N4401 TO-92 NPN
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
Datenblatt (PDF)
3400 Stück
Anzahl
Min.: 100
Gesamt (CHF 0.03 / Stück)
CHF 3.34
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Highlights & Details
BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: NPN
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
- VCE: 1 V
- IC: 150 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 750 mV
- IC: 500 mA
- IB: 50 mA
- Transitfrequenz - ft: 250 MHz
- IC: 20 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
2N4401
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
- VCE Sättigung (max.)
750 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
100
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2808995 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N4401 TO-92 NPN