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Conrad

ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N6491G TO-220 PNP Tube

Type d'emballage
Tube
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-220
Type
PNP
Courant du collecteur CI
15 A
Fiche technique (PDF)
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Livraison le mer. 25 novembre

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Points forts & détails

Transistor (BJT) - Discret

  • ON Semiconductor 2N6491G
  • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220
  • Contenu: 1 pc(s)

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type d'emballage

Tube

Type

2N6491G

Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

TO-220

Fabricant

ON Semiconductor

Type

PNP

Courant du collecteur CI

15 A

Tension - Collecteur-émetteur max.

80 V

Puissance (max) P(TOT)

75 W

Gain en courant DC hFE - Courant de référence

20 µA

Fréquence de transition f(T)

0.005 GHz

Type de montage

trou traversant

Contenu

1 pc(s)

UKCA

oui

Documents & téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N6491G TO-220 PNP Tube

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 3027554 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N6491G TO-220 PNP Tube

Accessoires

(*Les prix indiqués sont hors taxe.)

L'accessoire nécessaire est impératif pour pouvoir utiliser le produit conformément à la description

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