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Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PIMC - Durée de conservation SOIC-8 T

Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PIMC - Durée de conservation SOIC-8 T-0
Type d'emballage
Tube
Type de produit
PIMC - Durée de conservation
Boîtier
SOIC-8
Type de montage
montage en saillie
Type
600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2
Fiche technique (PDF)
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
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Points forts & détails

Driver de porte MOSFET/IGBT haute tension IR

  • Infineon Technologies IR2153SPBF
  • Type de boîtier (semi-conducteur): SOIC-8
  • Contenu: 1 pc(s)

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

  • (son) temps de mise en marche : 0,08 μs
  • Temps de coupure (toff) : 0,045 μs
Type d'emballage

Tube

Type

600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2

Type de produit

PIMC - Durée de conservation

Boîtier

SOIC-8

Fabricant

Infineon Technologies

Entrée de tension (min.)

10 V

Entrée de tension (max.)

20 V

Température de fonctionnement (min.)

-40 °C

Température de fonctionnement (max.)

+125 °C

Type de montage

montage en saillie

Applications

Moniteur de courant/d'alimentation

UKCA

non pertinent

Documents & téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PIMC - Durée de conservation SOIC-8 T

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 3028368 Infineon Technologies 600V 10÷15,6VDC MOSFET Halbbrücke IC: driver 625mW SO8 Ch: 2 PIMC - Durée de conservation SOIC-8 T

Description

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