Abbildung ähnlich
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE3055TG TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Gesamt (CHF 0.85 / Stück)
CHF 0.85
inkl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
Leistungs-Schalttransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
MJE3055TG
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
8 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
700 µA
- Leistung (max) P(TOT)
75 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
20
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
4 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Transitfrequenz f(T)
2 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 150945 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE3055TG TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 150945 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE3055TG TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Häufig gesuchte Transistoren:
Zubehör
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden
Conrad Electronic
CHF 0.55*
CHF 5.75*
1 kg = CHF 2'875.00