Abbildung ähnlich
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
8 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
114 Stück
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Highlights & Details
Leistungs-Schalttransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
MJE13007G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
8 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
400 V
- VCE Sättigung (max.)
3 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 µA
- Leistung (max) P(TOT)
80 W
- Serie
SWITCHMODE™
- DC Stromverstärkung (hFE)
5
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
14 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151208 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN
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