Abbildung ähnlich
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-80 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
BD810G
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-10 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-80 V
- VCE Sättigung (max.)
-1.1 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
-1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
90 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
15
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-4 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-2 V
- Transitfrequenz f(T)
1.5 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP
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