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Conrad
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ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

Zwei schwarze elektronische Bauteile in rechteckiger Form mit Metallanschlüssen, wahrscheinlich SMD-Dioden, auf weißem Hintergrund.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
350 mW
R(DS)(on)
4 Ω
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Highlights & Details

MOSFET

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

FDV301N

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

SOT-23-3

Hersteller

ON Semiconductor

Herst.-Abk.

OnS

Ausführung

N-Kanal

I(d)

220 mA

U

25 V

Leistung (max) P(TOT)

350 mW

R(DS)(on)

4 Ω

R(DS)(on) Referenz-Strom

400 mA

R(DS)(on) Referenz-Spannung

4.5 V

U(GS)(th) max.

1.06 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

0.7 nC

Q(G) Referenz-Spannung

4.5 V

C(ISS)

9.5 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

10 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Betriebstemperatur (max.)

+150 °C

Transistor-Merkmal

Logic Level Gate

U(DSS)

25 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1264012 ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

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Gesamtpreis:

CHF 4.40*

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Zubehör

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