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ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-Kanal, P-Kanal 900 mW SOIC-8
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
900 mW
R(DS)(on)
17 mΩ
EAN:
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
FDS8858CZ
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
- I(d)
8.6 A
7.3 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
900 mW
- R(DS)(on)
17 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
8.6 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
24 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
1205 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
PowerTrench®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
30 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
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Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263964 ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-Kanal, P-Kanal 900 mW SOIC-8
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