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ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
400 mW
R(DS)(on)
5 Ω
1637 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
CHF 0.15
45
7% = CHF 0.01
CHF 0.14
75
13% = CHF 0.02
CHF 0.13
150
20% = CHF 0.03
CHF 0.12
300
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
2N7000TA
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-92-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
200 mA
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
400 mW
- R(DS)(on)
5 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
500 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
- C(ISS)
50 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1262890 ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3