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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BST52,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-89-3
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
1 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
Transistor
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Technische Daten
- Typ
BST52,115
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-89-3
- Hersteller
Nexperia
- Herst.-Abk.
NEX
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
1 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
1.3 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
50 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1.3 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
2000
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
500 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
10 V
- Transitfrequenz f(T)
200 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 1113277 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BST52,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
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