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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC858B,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-30 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
28000 Stück
Anzahl
Min.: 500
Vielfache: 500
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Highlights & Details
Transistor
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Technische Daten
- Typ
BC858B,215
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Nexperia
- Herst.-Abk.
NEX
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-30 V
- VCE Sättigung (max.)
-650 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
-15 nA
- Leistung (max) P(TOT)
250 mW
- Serie
Technique automobile/AEC-Q101
- DC Stromverstärkung (hFE)
220
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-2 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 1113089 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC858B,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP
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