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Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
14 mΩ
Datenblatt (PDF)
16 Stück
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
CHF 1.62
10
8% = CHF 0.13
CHF 1.49
25
12% = CHF 0.19
CHF 1.43
50
13% = CHF 0.21
CHF 1.41
100
16% = CHF 0.26
CHF 1.36
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRFB4710PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
75 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
14 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
45 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
5.5 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
170 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
6160 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 564033 Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564033 Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-220AB