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Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260 W TO-220AB

Ein TO-220-Gehäuse, ein Standardgehäuse für elektronische Bauteile mit drei herausragenden Metallpins zur Befestigung und Verwendung.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
260 W
R(DS)(on)
15 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Highlights & Details

MOSFET

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRF8010PBF

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

80 A

U

100 V

Leistung (max) P(TOT)

260 W

R(DS)(on)

15 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

45 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

120 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

3830 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Durchführungsloch

Serie

HEXFET®

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

100 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260 W TO-220AB

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260 W TO-220AB

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Zubehör

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