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Diotec DI087N03D1-AQ MOSFET N-Kanal 41.67 W TO-252AA

Ein schwarzes D-Pak Gehäuse für elektronische Bauelemente, mit mehreren Anschlussbeinen für die Oberflächenmontage geeignet.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
41.67 W
R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Lieferung Di., 23. Feb. 2027
Anzahl
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Vielfache: 2500
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Highlights & Details

MOSFET, DPAK, 30V, 87A, 150°C, N

Unser Service für Sie

Technische Daten

  • Typ: SMD
  • Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
  • Drain-Source-Spannung - VDS: 30 V
  • Drainstrom - ID: 87.000 A
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Polarität - pol: N
  • Verlustleistung - Ptot: 41.670 W
  • Drain-Spitzenstrom - IDM: 420.000 A
  • Schwellspannung - VGSth: 2.5 V
  • Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0030 Ω
  • ID: 20 A
  • VGS: 10 V
  • Einschaltzeit - ton: 70 ns
  • Ausschaltzeit - toff: 23 ns
Typ

DI087N03D1-AQ

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-252AA

Hersteller

Diotec

Herst.-Abk.

DIO

Ausführung

N-Kanal

I(d)

87 A

Leistung (max) P(TOT)

41.67 W

R(DS)(on) Referenz-Strom

20 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

2.5 V

Montageart

Oberflächenmontage

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

U(DSS)

30 V

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809602 Diotec DI087N03D1-AQ MOSFET N-Kanal 41.67 W TO-252AA

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809602 Diotec DI087N03D1-AQ MOSFET N-Kanal 41.67 W TO-252AA

Wird oft zusammen gekauft

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
Gesamtpreis:

CHF 2'683.90CHF 2'251.08*

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Zubehör

(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)

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