Vishay unipolar 3,2W 30V 11,2A SO8 Transistor: N-MOSFET MOSFET 1 N-Kanal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Verpackungsart
Tape on Full reel
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOIC-8
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
5 W
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
800 Stück
Anzahl
Min.: 50
Vielfache: 50
Tape on Full reel
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Highlights & Details
Vishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SO
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape on Full reel
- Typ
unipolar 3,2W 30V 11,2A SO8 Transistor: N-MOSFET
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOIC-8
- Hersteller
Vishay
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
14 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
5 W
- R(DS)(on)
0.0175 Ω
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- Höhe
0.00 mm
- Länge
0 mm
- Breite
0.00 mm
- Gewicht
0
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026535 Vishay unipolar 3,2W 30V 11,2A SO8 Transistor: N-MOSFET MOSFET 1 N-Kanal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026535 Vishay unipolar 3,2W 30V 11,2A SO8 Transistor: N-MOSFET MOSFET 1 N-Kanal 5 W SOIC-8 Tape on Full reel
Beschreibung
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 11,2A
Gate-Ladung: 7,3nC
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: SO8
Drainstrom: 11,2A
Gate-Ladung: 7,3nC
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: SO8
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