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Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
DIP-4
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
540 mΩ
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
MOSFET (HEXFET)
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Technische Daten
- Typ
IRFD110PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
DIP-4
- Hersteller
Vishay
- Herst.-Abk.
VIS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
1 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
540 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
600 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
8.3 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
180 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4
Datenblatt 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4
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