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STMicroelectronics 4,4A 125W Transistor: N-MOSFET 600V unipolar ESD TO220-3 MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
125 W
R(DS)(on)
0.95 Ω
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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2230 Stück
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Highlights & Details
STM Leistungs-MOSFETs STP_ TO220
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Technische Daten
- Typ
4,4A 125W Transistor: N-MOSFET 600V unipolar ESD TO220-3
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
STMicroelectronics
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
7 A
- U
600 V
- Leistung (max) P(TOT)
125 W
- R(DS)(on)
0.95 Ω
- Montageart
Durchführungsloch
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026622 STMicroelectronics 4,4A 125W Transistor: N-MOSFET 600V unipolar ESD TO220-3 MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026622 STMicroelectronics 4,4A 125W Transistor: N-MOSFET 600V unipolar ESD TO220-3 MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220
Beschreibung
Ausführung: ESD
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 4,4A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Source Spannung: ±30V
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 4,4A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Source Spannung: ±30V
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