ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP35CG TO-247 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-247
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
25 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
TIP35CG
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-247
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
25 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
- VCE Sättigung (max.)
4 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
125 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
15
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
15 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
- Transitfrequenz f(T)
3 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151039 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP35CG TO-247 Anzahl Kanäle 1 NPN
Beschreibung
Hinweise
Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.