Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13910STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-126
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1.5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
1661 Stück
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
7
-
CHF 0.32
21
6% = CHF 0.02
CHF 0.30
35
9% = CHF 0.03
CHF 0.29
70
12% = CHF 0.04
CHF 0.28
140
16% = CHF 0.05
CHF 0.27
280
19% = CHF 0.06
CHF 0.26
700
25% = CHF 0.08
CHF 0.24
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen CHF 0.00
Anzahl
Min.: 7
Gesamt (CHF 0.32 / Stück)
CHF 2.24
zzgl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
Transistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BD13910STU
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-126
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1.5 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
63
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
2 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13910STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN