
Sammelabbildung
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Induktivität
geschirmt
SMD
NPIS412E
10 µH
20 %
0.35 mΩ
0.75 A
4 mm
4 mm
1.2 mm
-40 °C
+105 °C
5000 St.
(L x B x H) 4 x 4 x 1.2 mm
Ja
NPIS412E100MTRF
Datenblatt 1512150 NIC Components NPIS412E100MTRF NPIS412E100MTRF Induktivität geschirmt SMD NPIS412E 10 µH 0.35 mΩ 0.75 A 5000 St.
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1512150 NIC Components NPIS412E100MTRF NPIS412E100MTRF Induktivität geschirmt SMD NPIS412E 10 µH 0.35 mΩ 0.75 A 5000 St.