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Conrad

Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCP56-10,115 SOT-223 Anzahl Kanäle 1 NPN

Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-223
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details

Transistor

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

BCP56-10,115

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-223

Hersteller

Nexperia

Herst.-Abk.

NEX

Kanäle

1

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1 A

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

80 V

VCE Sättigung (max.)

500 mV

Kollektor Reststrom I(CES)

100 nA

Leistung (max) P(TOT)

960 mW

DC Stromverstärkung (hFE)

63

DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom

150 mA

DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung

2 V

Transitfrequenz f(T)

180 MHz

Montageart

Oberflächenmontage

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 1113306 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCP56-10,115 SOT-223 Anzahl Kanäle 1 NPN

Wird oft zusammen gekauft

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Gesamtpreis:

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