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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCP55-10,115 SOT-223 Anzahl Kanäle 1 NPN
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-223
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
4200 Stück
Anzahl
Min.: 100
Vielfache: 100
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Highlights & Details
Transistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BCP55-10,115
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-223
- Hersteller
Nexperia
- Herst.-Abk.
NEX
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
60 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1.35 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
63
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
2 V
- Transitfrequenz f(T)
180 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 1113107 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCP55-10,115 SOT-223 Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1113107 Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCP55-10,115 SOT-223 Anzahl Kanäle 1 NPN
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