Name: Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB Tube
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3026222
Availability: InStock

Highlights & Details

INFI Leistungs-MOSFETs IRF_, IRL_ TO220A

N-CHANNEL POWER MOSFET
RoHS konform: Ja
Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück

Unser Service für Sie

Technische Daten

Drain-Source-Durchbruchspannung: 55 VDrain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 8 mOhmkontinuierlicher Drain-Reststrom: 110 AVerlustleistung @Tc=25 °C: 20 WBetriebstemperatur: -55 °C - 175 °CEinschalt-Verzögerungszeit: 14 nSEingangskapazität: 3247 pFAusgangskapazität: 781 pF

Verpackungsart: Tube

Typ: IRF3205PBF

Produkt-Art: MOSFET

Gehäuse: TO-220AB

Hersteller: Infineon Technologies

Herst.-Abk.: INF

Ausführung: N-Kanal

I(d): 110 A

U: 55 V

Leistung (max) P(TOT): 200 W

R(DS)(on): 0.008 Ω

R(DS)(on) Referenz-Strom: 110 A

U(GS)(th) max.: 20 V

C(ISS): 3247 pF

Betriebstemperatur (min.): -55 °C

Montageart: Durchführungsloch

Betriebstemperatur (max.): 175 °C

U(DSS): 55 V

Kanäle: 1

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3026222 Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB Tube

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026222 Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB Tube

Beschreibung

Drain-Source-Durchbruchspannung: 55 V
Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 8 mOhm
kontinuierlicher Drain-Reststrom: 110 A
Verlustleistung @Tc=25 °C: 20 W
Betriebstemperatur: -55 °C - 175 °C
Einschalt-Verzögerungszeit: 14 nS
Eingangskapazität: 3247 pF
Ausgangskapazität: 781 pF

Beschreibung

Drain-Source-Durchbruchspannung: 55 V
Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 8 mOhm
kontinuierlicher Drain-Reststrom: 110 A
Verlustleistung @Tc=25 °C: 20 W
Betriebstemperatur: -55 °C - 175 °C
Einschalt-Verzögerungszeit: 14 nS
Eingangskapazität: 3247 pF
Ausgangskapazität: 781 pF