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Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB Tube
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
Datenblatt (PDF)
135 Stück
Anzahl
Min.: 10
Gesamt (CHF 1.57 / Stück)
CHF 15.70
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Highlights & Details
INFI Leistungs-MOSFETs IRF_, IRL_ TO220A
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Drain-Source-Durchbruchspannung: 55 VDrain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 8 mOhmkontinuierlicher Drain-Reststrom: 110 AVerlustleistung @Tc=25 °C: 20 WBetriebstemperatur: -55 °C - 175 °CEinschalt-Verzögerungszeit: 14 nSEingangskapazität: 3247 pFAusgangskapazität: 781 pF
- Verpackungsart
Tube
- Typ
IRF3205PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
110 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.008 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
110 A
- U(GS)(th) max.
20 V
- C(ISS)
3247 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Betriebstemperatur (max.)
175 °C
- U(DSS)
55 V
- Kanäle
1
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026222 Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026222 Infineon Technologies IRF3205PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB Tube
Beschreibung
Drain-Source-Durchbruchspannung: 55 V
Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 8 mOhm
kontinuierlicher Drain-Reststrom: 110 A
Verlustleistung @Tc=25 °C: 20 W
Betriebstemperatur: -55 °C - 175 °C
Einschalt-Verzögerungszeit: 14 nS
Eingangskapazität: 3247 pF
Ausgangskapazität: 781 pF