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Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220AB
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
8.4 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
206 Stück
Anzahl
Min.: 2
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Highlights & Details
Transistor unipolar (MOSFET)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF1018EPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
79 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
8.4 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
47 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
100 µA
- Q(G)
69 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
2290 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 160859 Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 160859 Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220AB
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