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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401 SOT-23 PNP
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
150 V
Datenblatt (PDF)
1432 Stück
Anzahl
Min.: 100
Gesamt (CHF 0.03 / Stück)
CHF 2.51
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Highlights & Details
BJT, SOT-23, 150V, 600mA, PNP
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: SOT-23
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 150 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.250 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
- VCE: 5 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
- IC: 50 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 300 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 10 V
- f: 100 MHz
- Typ
MMBT5401
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
150 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
200
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2810127 Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBT5401 SOT-23 PNP
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=MMBT5401, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=-999, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=250 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101