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Transistor IGBT IXYS IXGT30N120B3D1 TO-268 Simple Standard 1200 V 1 pc(s)

IXYS
Code art. : 564317 - 62
Réf. fab. : IXGT30N120B3D1 |  EAN : 2050003205924
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    • IXYS IXGT30N120B3D1
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    Transistor IGBT

    Caractéristiques techniques

    Référence
    IXGT30N120B3D1
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-268
    Fabricant
    IXYS
    Fab.
    IXY
    Type de transistor (Catégorisation)
    Transistor IGBT
    Configuration
    Simple
    Tension
    1200 V
    IC
    30 A
    Courant - Impulsion collecteur (Icm)
    150 A
    Vce Saturation (max.)
    3.5 V
    Puissance (max) P(TOT)
    300 W
    Type d'entrée
    Standard
    Td (on) à 25°C
    16 ns
    Td (off) à 25°C
    127 ns
    Courant - Résiduel collecteur-base (max.)
    300 µA
    Capacité d’entrée
    1750 pF
    Q(G)
    87 C
    Série
    GenX3
    Type de FET
    PT
    Temps de recouvrement inverse T(rr)
    100 ns
    Type de montage
    montage en surface
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • IXYS IXGT30N120B3D1
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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