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STMicroelectronics STP6N60M2 MOSFET 1 Canal N 60 W TO-220

STMicroelectronics
Code art. : 564747 - 62
Réf. fab. : STP6N60M2 |  EAN : 2050003209984
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    • STMicroelectronics STP6N60M2
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    STP6N60M2
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-220
    Fabricant
    STMicroelectronics
    Fab.
    STM
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    4.5 A
    UBR DSS
    600 V
    Puissance (max) P(TOT)
    60 W
    R(DS)(on)
    1.2 Ω
    R(DS)(on) Courant de référence
    2.25 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    250 µA
    Q(G)
    8 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    232 pF
    C(ISS) Tension de référence
    100 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    MDmesh™ II Plus
    Température de fonctionnement (max.)
    +150 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    600 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Caractéristiques techniques

    Points forts & détails

    • STMicroelectronics STP6N60M2
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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