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STMicroelectronics STF25N10F7 MOSFET 1 Canal N 25 W TO-220-3

STMicroelectronics
Code art. : 564714 - 62
Réf. fab. : STF25N10F7 |  EAN : 2050003209694
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Conforme RoHS

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  • CHF 5.25
    TTC, hors Expédition
    Épuisé
    • STMicroelectronics STF25N10F7
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220-3
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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    MOSFET

    Caractéristiques techniques

    Référence
    STF25N10F7
    Type de boîtier (semi-conducteur)
    TO-220-3
    Fabricant
    STMicroelectronics
    Fab.
    STM
    Type de FET
    Canal N
    I(d)
    19 A
    UBR DSS
    100 V
    Puissance (max) P(TOT)
    25 W
    R(DS)(on)
    35 mΩ
    R(DS)(on) Courant de référence
    12.5 A
    R(DS)(on) Tension de référence
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4.5 V
    U(GS)(th) Courant de référence max.
    250 µA
    Q(G)
    14 C
    Q(G) Tension de référence
    10 V
    C(ISS)
    920 pF
    C(ISS) Tension de référence
    50 V
    Température de fonctionnement (min.)
    -55 °C
    Type de montage
    trou traversant
    Série
    DeepGATE™
    STripFET™ VII
    Température de fonctionnement (max.)
    +175 °C
    Fonction FET
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Type de transistor (Catégorisation)
    MOSFET
    Canaux
    1
    Conforme à la norme RoHS
    oui

    Documents et téléchargements

    Points forts & détails

    • STMicroelectronics STF25N10F7
    • Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220-3
    • Conditionnement: 1 pc(s)
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